太阳能单晶硅焊接温度(太阳能单晶硅生产工艺)

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本文目录一览：

• 1、太阳能电池制作流程
• 2、单晶硅片如何焊接成电池片
• 3、单晶硅的形变温度

太阳能电池制作流程

太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。

切片，清洗，制备绒面，周边刻蚀，去除背面PN+结，制作上下电极，制作减反射膜，烧结，测试分档等10步。太阳能电池具体的制作工艺说明（1） 切片：***用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。

太阳能电池阵列设计步骤 计算负载24h消耗容量P。P=H/V V——负载额定电源 选定每天日照时数T（H）。计算太阳能阵列工作电流。

单晶硅片如何焊接成电池片

单晶硅片的正反面都印有焊接位置，可以用适当宽度的镀锡铜带直接焊接。正面为正极，背面为负极；柔性的非晶硅电池片，会有明确的正负极接线端，直接焊接即可。

电极制备 在硅片的前后面沉积金属电极（常用铝），完成 pn 结的电接触。 覆盖玻璃 使用低铁玻璃覆盖在电池片上，起到保护和透光的作用。 模块封装 将电池片装配入铝型材中，进一步封装成完整的太阳能组件。

电池做成组件要经3大工序（焊接、层压、装框），组件一般由60片或72片电池片串联，开路电压约38V，短路电流约9A，最大输出功率约270W~300W。

单晶硅的形变温度

1、℃到1200℃之间。单晶硅的常用温度范围大约在600℃到1200℃之间，在这个温度范围内，单晶硅的机械性能和化学性质都能得到较好的保持，并能保证半导体器件的正常工作。

2、单晶硅是靠熔化的多晶硅在籽晶上重新凝固 （结晶）形成的，它与温度有直接关系。单 晶硅是完整的晶体，因此有一定的熔点，是1420℃。

3、一般来说，多晶硅的适宜烧结温度在800-900℃之间，单晶硅的适宜烧结温度在1000-1100℃之间。

4、虽然内部温度最高可达1420摄氏度以上，但是外面的温度基本就是常温。单晶硅生产也需要标准的温度和湿度，一般车间会控制温度在25摄氏度左右，冬天的温度因为外界影响会略低一些，一般会在十几摄氏度的样子。

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